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CS2350M雙恒電位儀

CS2350M雙恒電位儀

產(chǎn)品型號(hào)：

所屬分類：電化學(xué)工作站

更新時(shí)間：2024-09-09

簡(jiǎn)要描述：可以實(shí)現(xiàn)2個(gè)通道同步測(cè)試，搭配旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）使用。
● 雙通道電化學(xué)工作站，各通道獨(dú)立測(cè)試，性價(jià)比高
● 經(jīng)典應(yīng)用：盤環(huán)電極測(cè)試（RRDE）、氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT）
● 全浮地模式，性價(jià)比高
● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V
● 電流控制范圍：±1A（可擴(kuò)展至20A/40A/100A）
● 電位分辨率：1μV，電流分辨率：1pA（可選

詳細(xì)說明：

產(chǎn)品介紹

     CS2350M雙恒電位儀內(nèi)置兩套恒電位/恒電流儀，每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出，并由CS Studio測(cè)試軟件來協(xié)調(diào)輸出電位/電流，CS2350M是真正意義上的雙通道電化學(xué)工作站。
具體應(yīng)用于：
    1. 雙通道獨(dú)立使用，可同時(shí)進(jìn)行兩組常規(guī)電化學(xué)測(cè)試；
    2. 雙通道組合使用，可用于電化學(xué)分析四電極工作體系，尤其在氧還原（ORR）中間產(chǎn)物收集、金屬氫擴(kuò)散測(cè)試有廣泛應(yīng)用。
 
    技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    CS2350M雙恒電位儀不僅具有CS單通道系列高精度、寬量程以及強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析處理功能，而且在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上創(chuàng)新突破。 CS2350M雙通道硬件設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)兩組實(shí)驗(yàn)體系的測(cè)試要求，同時(shí)，軟件的組合編程功能大大提高了實(shí)驗(yàn)的效率。

    典型案例

    1. 雙通道獨(dú)立測(cè)試
    使用專用的電池測(cè)試夾，配合軟件的組合編程功能，給電池能源領(lǐng)域的用戶帶來更高效、更智能的測(cè)試體驗(yàn)。
 

圖1.雙通道獨(dú)立測(cè)量參數(shù)設(shè)置界面
 

    2.配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）用于研究氧化還原體系：
    在測(cè)量圓盤電極極化曲線的同時(shí)，將環(huán)電壓設(shè)置為恒電位，控制圓環(huán)電極在固定的極化電勢(shì)，用以檢測(cè)圓盤電極上產(chǎn)生的反應(yīng)中間物，該方法也成為檢測(cè)反應(yīng)中間物和研究電極反應(yīng)機(jī)理的典型流體動(dòng)力學(xué)方法。氧還原反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)和相應(yīng)的雙氧水（中間產(chǎn)物）產(chǎn)率可分別通過公式測(cè)得：


 

其中知Idisk和Iring分別為測(cè)得的盤電流、環(huán)電流，電極收集效率N由盤環(huán)電極參數(shù)決定（常數(shù)）。將測(cè)試結(jié)果代入以上公式即求得實(shí)際反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)n 和H2O2（%）所占比例。

CS2350M雙恒電位儀CS2350M雙恒電位儀

圖2.氧還原（ORR）中間產(chǎn)物檢測(cè)
 

    3. 金屬中氫擴(kuò)散測(cè)試：
    兩個(gè)恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski 雙電解池，通過左側(cè)電解池的陰極充氫和右側(cè)電解的氫原子陽(yáng)極氧化電流測(cè)量，進(jìn)而計(jì)算氫原子在金屬中擴(kuò)散系數(shù)和氫通量。

CS2350M雙恒電位儀

圖3.金屬中氫擴(kuò)散控制

技術(shù)指標(biāo)

硬件參數(shù)指標(biāo)

 雙恒電位儀：
單恒電位電位控制范圍：±10V，雙恒電位儀電位控制范圍:±10V		 恒電流控制范圍：±1A（可擴(kuò)展至20A/40A/100A）
 電位控制精度：0.1% 電流控制精度：0.1%
 電位靈敏度：1μV 電流靈敏度：1pA（可選100fA）
 電位上升時(shí)間：1μs 電流量程：2A～2nA 10檔
 參比電極輸入阻抗：1013Ω||8pF 最大輸出電流：±1A（可擴(kuò)展至20A/40A/100A）
 槽壓輸出：±21V 電流掃描增量：1mA@1A/ms
 CV和LSV掃描速度：0.001mV～10,000V/s 電位掃描電位增量：0.076mV @1V/ms
 CA和CC脈沖寬度：0.0001～65,000s  DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
 SWV頻率：0.001～100KHz CV的最小電位增量：0.020mV
 AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz 電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
 DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μs 低通濾波器 ：8段可編程
 通訊接口：網(wǎng)口 儀器凈重：7.5Kg
 外形尺寸（mm）：365(W)X338(D)X140(H)


電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)

 信號(hào)發(fā)生器
 頻率響應(yīng)：10μHz～1MHz 交流信號(hào)幅值：0mV～2500mV
 頻率精確度：0.005% 信號(hào)分辨率：0.1mV RMS
 DDS輸出阻抗：50Ω 直流偏壓：-10V～+10V
 正弦波失真率：<1% 波形：正弦波，三角波，方波
 掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降
 信號(hào)分析器
 最大積分時(shí)間：106個(gè)循環(huán)或者105s 測(cè)量時(shí)間延遲：0～105s
 最小積分時(shí)間：10ms或者一個(gè)循環(huán)的最長(zhǎng)時(shí)間
 直流偏置補(bǔ)償
 電位補(bǔ)償范圍：-10V～+10V 電流補(bǔ)償范圍：-1A～+1A
 帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào)


儀器配置

1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2）CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3）模擬電解池1個(gè)
4）電源線、網(wǎng)線各1條
5）電極電纜線2條
6）電腦（選配*）

功能方法
穩(wěn)態(tài)極化
開路電位測(cè)量（OCP）、恒電位極化（i-t曲線）、恒電流極化、動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線）、動(dòng)電流掃描（DGP）
暫態(tài)極化
任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍（ISTEP）
計(jì)時(shí)分析
計(jì)時(shí)電位法（CP）、計(jì)時(shí)電流法（CA）、計(jì)時(shí)電量法（CC）
伏安分析
線性掃描伏安法（LSV）、循環(huán)伏安法（CV）、階梯循環(huán)伏安法（SCV）、方波伏安法（SWV）、差分脈沖伏安法（DPV）、常規(guī)脈沖伏安法（NPV）、常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）、差分脈沖電流檢測(cè)法（DPA）、雙差分脈沖電流檢測(cè)法（DDPA）、三脈沖電流檢測(cè)法（TPA）、積分脈沖電流檢測(cè)法（IPAD）、交流伏安法（ACV）、二次諧波交流伏安（SHACV）、傅立葉變換交流伏安（FTACV）
溶出伏安
恒電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安、差分脈沖溶出伏安、常規(guī)脈沖溶出伏安、常規(guī)差分脈沖溶出伏安、交流溶出伏安
交流阻抗
頻率掃描-電位控制模式（EIS-V） 、 頻率掃描-電流控制模式（EIS-I） 、 電位掃描（IMPE,Mott-Schotty) 、 時(shí)間掃描-電位控制模式、 時(shí)間掃描-電流控制模式
腐蝕測(cè)量
循環(huán)極化曲線（CPP）、線性極化曲線（LPR）、動(dòng)電位再活化法（EPR)、電化學(xué)噪聲（EN）、電偶腐蝕測(cè)量（ZRA）
電池測(cè)試
電池充放電測(cè)試、恒電流充放電（GCD）、恒電位充放電（PCD）、恒電位間歇滴定技術(shù)（PITT）、恒電流間歇滴定技術(shù)（GITT）
雙恒測(cè)量
氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT）、盤環(huán)電極測(cè)試（RRDE）、法拉第效率測(cè)試（FET）
擴(kuò)展測(cè)量
盤環(huán)電極測(cè)試、數(shù)字記錄儀、波形發(fā)生器、圓盤電機(jī)控制、其它外設(shè)擴(kuò)展端口（定制）





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