您好，歡迎來到中科微能（北京）科技有限公司！
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產(chǎn)品型號(hào)：
所屬分類：電化學(xué)工作站
更新時(shí)間：2024-09-09
簡(jiǎn)要描述：可以實(shí)現(xiàn)2個(gè)通道同步測(cè)試，搭配旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）使用。 ● 雙通道電化學(xué)工作站，各通道獨(dú)立測(cè)試，性價(jià)比高 ● 經(jīng)典應(yīng)用：盤環(huán)電極測(cè)試（RRDE）、氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT） ● 全浮地模式，性價(jià)比高 ● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V ● 電流控制范圍：±1A（可擴(kuò)展至20A/40A/100A） ● 電位分辨率：1μV，電流分辨率：1pA（可選
CS2350M雙恒電位儀內(nèi)置兩套恒電位/恒電流儀，每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出，并由CS Studio測(cè)試軟件來協(xié)調(diào)輸出電位/電流，CS2350M是真正意義上的雙通道電化學(xué)工作站。
具體應(yīng)用于：
1. 雙通道獨(dú)立使用，可同時(shí)進(jìn)行兩組常規(guī)電化學(xué)測(cè)試；
2. 雙通道組合使用，可用于電化學(xué)分析四電極工作體系，尤其在氧還原（ORR）中間產(chǎn)物收集、金屬氫擴(kuò)散測(cè)試有廣泛應(yīng)用。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
CS2350M雙恒電位儀不僅具有CS單通道系列高精度、寬量程以及強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析處理功能，而且在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上創(chuàng)新突破。 CS2350M雙通道硬件設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)兩組實(shí)驗(yàn)體系的測(cè)試要求，同時(shí)，軟件的組合編程功能大大提高了實(shí)驗(yàn)的效率。
典型案例
1. 雙通道獨(dú)立測(cè)試
使用專用的電池測(cè)試夾，配合軟件的組合編程功能，給電池能源領(lǐng)域的用戶帶來更高效、更智能的測(cè)試體驗(yàn)。
圖1.雙通道獨(dú)立測(cè)量參數(shù)設(shè)置界面
2.配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）用于研究氧化還原體系：
在測(cè)量圓盤電極極化曲線的同時(shí)，將環(huán)電壓設(shè)置為恒電位，控制圓環(huán)電極在固定的極化電勢(shì)，用以檢測(cè)圓盤電極上產(chǎn)生的反應(yīng)中間物，該方法也成為檢測(cè)反應(yīng)中間物和研究電極反應(yīng)機(jī)理的典型流體動(dòng)力學(xué)方法。氧還原反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)和相應(yīng)的雙氧水（中間產(chǎn)物）產(chǎn)率可分別通過公式測(cè)得：
其中知Idisk和Iring分別為測(cè)得的盤電流、環(huán)電流，電極收集效率N由盤環(huán)電極參數(shù)決定（常數(shù)）。將測(cè)試結(jié)果代入以上公式即求得實(shí)際反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)n 和H2O2（%）所占比例。
圖2.氧還原（ORR）中間產(chǎn)物檢測(cè)
3. 金屬中氫擴(kuò)散測(cè)試：
兩個(gè)恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski 雙電解池，通過左側(cè)電解池的陰極充氫和右側(cè)電解的氫原子陽極氧化電流測(cè)量，進(jìn)而計(jì)算氫原子在金屬中擴(kuò)散系數(shù)和氫通量。
圖3.金屬中氫擴(kuò)散控制
硬件參數(shù)指標(biāo)
| 雙恒電位儀： 單恒電位電位控制范圍：±10V，雙恒電位儀電位控制范圍:±10V | 恒電流控制范圍：±1A（可擴(kuò)展至20A/40A/100A） |
| 電位控制精度：0.1% | 電流控制精度：0.1% |
| 電位靈敏度：1μV | 電流靈敏度：1pA（可選100fA） |
| 電位上升時(shí)間：1μs | 電流量程：2A～2nA 10檔 |
| 參比電極輸入阻抗：1013Ω||8pF | 最大輸出電流：±1A（可擴(kuò)展至20A/40A/100A） |
| 槽壓輸出：±21V | 電流掃描增量：1mA@1A/ms |
| CV和LSV掃描速度：0.001mV～10,000V/s | 電位掃描電位增量：0.076mV @1V/ms |
| CA和CC脈沖寬度：0.0001～65,000s | DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s |
| SWV頻率：0.001～100KHz | CV的最小電位增量：0.020mV |
| AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz | 電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置 |
| DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μs | 低通濾波器 ：8段可編程 |
| 通訊接口：網(wǎng)口 | 儀器凈重：7.5Kg |
| 外形尺寸（mm）：365(W)X338(D)X140(H) |
電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)
| 信號(hào)發(fā)生器 | |
| 頻率響應(yīng)：10μHz～1MHz | 交流信號(hào)幅值：0mV～2500mV |
| 頻率精確度：0.005% | 信號(hào)分辨率：0.1mV RMS |
| DDS輸出阻抗：50Ω | 直流偏壓：-10V～+10V |
| 正弦波失真率：<1% | 波形：正弦波，三角波，方波 |
| 掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降 | |
| 信號(hào)分析器 | |
| 最大積分時(shí)間：106個(gè)循環(huán)或者105s | 測(cè)量時(shí)間延遲：0～105s |
| 最小積分時(shí)間：10ms或者一個(gè)循環(huán)的最長(zhǎng)時(shí)間 | |
| 直流偏置補(bǔ)償 | |
| 電位補(bǔ)償范圍：-10V～+10V | 電流補(bǔ)償范圍：-1A～+1A |
| 帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào) | |
儀器配置
1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2）CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3）模擬電解池1個(gè)
4）電源線、網(wǎng)線各1條
5）電極電纜線2條
6）電腦（選配*）
聯(lián)系人：鄭杰斯
聯(lián)系郵箱：microenerg@163.com
聯(lián)系傳真：010-87867189
聯(lián)系地址：北京大興區(qū)興華大街（二段）1號(hào)
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